Robert H. Dennard (Q289023)
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American engineer and inventor inglés
- Robert Dennard
- Robert Heath Dennard
| Idioma | Etiqueta | Descripción | También conocido como |
|---|---|---|---|
| español | Robert H. Dennard |
Ninguna descripción definida |
|
| inglés | Robert H. Dennard |
American engineer and inventor |
|
Declaraciones
5 sep 1932
23 abr 2024
91 años de edad
Behavior of the ferroresonant series circuit containing a square-loop reactor (inglés)
1958
0 referencias
1988
For invention of the basic one-transistor dynamic memory cell used worldwide in virtually all modern computers. (inglés)
2001
1990
Invention of the one-transistor dynamic memory cell which is the basis for the one-device DRAM (dynamic random access memory) memory chip used worldwide in computers and for his contribution to the scaling theory which has been widely used in the miniaturization of MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) integrated circuits. (inglés)
2009
for his invention and contributions to the development of Dynamic Random Access Memory (DRAM), used universally in computers and other data processing and communication systems (inglés)
0 referencias
2017
For seminal contributions in the field of Microelectronics for the invention of Dynamic Random Access Memory (DRAM), and CMOS scaling. (inglés)
Identificadores
Robert H. Dennard
David C. Hayes
0 referencias
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