В отличие от оперативной памяти, флеш-память не так востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, поэтому соответствующий сегмент рынка дольше восстанавливается от кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. Японской компании Kioxia впервые за 20 месяцев удалось воздержаться от сокращения объёмов выпуска памяти типа NAND, а также получить согласие кредиторов на рефинансирование своих долговых обязательств.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщает Nikkei Asian Review, на двух предприятиях Kioxia в префектурах Миэ и Иватэ в июне была достигнута 100-процентная загрузка линий по выпуску памяти типа NAND. Улучшение условий ведения бизнеса способствовало росту благосклонности кредиторов Kioxia, которые согласились рефинансировать кредиты на сумму $3,43 млрд, которые подлежали выплате в июне. Была открыта дополнительная линия кредитования на сумму $1,33 млрд. Кроме того, синдикат кредиторов Kioxia поможет компании с покупкой нового оборудования для производства памяти, которое заменит собой устаревшее. Кредиторам удалось получить и подробности о планах Kioxia по выходу на фондовый рынок, что также способствовало смягчению их позиции.

Производство памяти NAND на предприятиях Kioxia сокращалось с октября 2022 года, в отдельных случаях величина сокращений достигала 30 %. Запуск нового предприятия в Китаками был отложен с 2023 до 2025 года как минимум. В прошлом квартале Kioxia впервые за шесть предыдущих кварталов отчиталась о чистой прибыли, которая достигла $654 млн. Спрос на микросхемы памяти, используемые в смартфонах и ПК, достиг своего минимума, а в серверном сегменте он вернулся к росту. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале цены на память типа NAND последовательно вырастут на величину от 13 до 18 %. Компания Kioxia в сотрудничестве с Western Digital собирается потратить на развитие производства передовых типов памяти около $4,6 млрд, власти Японии обещают предоставить партнёрам $1,54 млрд в форме субсидий.

Сегодня даже самая передовая энергонезависимая память имеет ограничения на количество циклов перезаписи. Для домашнего использования это не критично, тогда как во множестве отраслей скорость износа памяти имеет решающее влияние на безопасность и бюджет. Группа учёных из Китая начала поиск материалов для энергонезависимой памяти с нулевым износом. Это многое изменило бы в отрасли и в мире. На днях появилась информация о прорыве.

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Как сообщили в своей статье в журнале Science исследователи из Нинбоского института материаловедения и инженерии Китайской академии наук (CAS), Университета электронных наук и технологий Китая в Чэнду и Университета Фудань в Шанхае, созданный ими материал для энергонезависимой памяти после миллиона циклов перезаписи в лабораторных условиях показал нулевой износ. Это прорыв, заявили исследователи. Потенциально память на основе нового материала может работать едва ли не вечно.

Следует сказать, что учёные использовали популярный среди исследователей сегнетоэлектриков материал — дисульфид молибдена. Точнее, его модификацию под названием 3R-MoS₂. Сегнетоэлектрики действительно меньше подвержены износу в процессе записи и хранения данных. Эффект гистерезиса (памяти) в таких материалах проявляется в изменении поляризации кристаллической ячейки, чем можно управлять с помощью внешнего электромагнитного поля. Физическое воздействие на материал минимальное, но, всё же, оно есть. Сегнетоэлектрическая память также со временем ухудшает свои свойства и с этим нужно работать.

Как выяснили китайские учёные, в ухудшении характеристик сегнетоэлектрической памяти — в проявлениях так называемой сегнетоэлектрической усталости — виноваты дефекты, вернее, процесс накопления дефектов. Они, как мелкая галька в морской волне, собираются в кучки, которые увеличиваются в размерах. Поэтому все силы учёных в новом исследовании были направлены на поиск решения замедлить или предотвратить накопление этих дефектов.

В результате поиска с привлечением машинных алгоритмов (ИИ), исследователи создали с использованием 3R-MoS₂ слоистый «скользящий» материал, который не накапливал дефектов в процессе перезаписи. По крайней мере, после миллиона циклов материал не проявил ухудшения характеристик. Более того, материал оказался очень тонким — порядка одного нанометра. Это означает, что ячейки памяти могут быть очень и очень маленькими. Современная сегнетоэлектрическая память не может похвастаться маленькими ячейками и поэтому страдает от низкой плотности.

Нетрудно представить, как преобразится отрасль, например, искусственного интеллекта и супервычислений, если память в компьютерах не будет иметь износа. В свете начавшейся технологической войны США и Китая — это такой фактор, который невозможно переоценить.

Western Digital на конференции инвесторов предварительно представила первый в мире кристалл памяти 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт). Новая флэш-память потенциально может изменить рынок твердотельных накопителей, позволяя создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные SSD большой ёмкости. Кристалл производится по отработанному 218-слойному производственному процессу BiCS8 и имеет настолько крошечные размеры, что легко помещается на кончике пальца.

Источник изображений: Western Digital

«Я очень рад поделиться с вами предварительным обзором кристалла BiCS8 2Tb 3D QLC, — заявил генеральный менеджер подразделения флэш-памяти Western Digital Роберт Содербери (Robert Soderbery). — Мы разработали этот кристалл для удовлетворения потребностей центров обработки данных и систем хранения данных искусственного интеллекта. Вскоре мы собираемся анонсировать этот продукт, но я хочу поделиться им с вами сегодня. Это кристалл памяти с самой высокой ёмкостью в мире».

«Обычно мы показываем вам пластину, но мне показалось, что вид пластины не совсем передаёт то, чего мы достигли, — сказал Содербери. — Итак, я хочу показать вам кристалл. Пожалуйста, увеличьте масштаб того, что я держу здесь на пальце. Это размер кристалла, намного меньше чем кончик моего пальца».

Микросхема 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит является огромным достижением по сравнению с «базовым» продуктом 3D TLC ёмкостью 1 Тбит, изготовленном на основе той же 218-слойной производственной технологии BiCS8. На данный момент компания не предоставила информации об архитектуре нового чипа и скоростных характеристиках, но поделилась сравнительными показателями производительности и энергопотребления.

3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт) позволит производителям создавать SSD ёмкостью 1 Тбайт, используя всего четыре кристалла памяти. В производители уже научились упаковывать до 16 кристаллов в один корпус — с новыми кристаллами WD можно получить ёмкость 4 Тбайт в одном чипе. Таким образом, если Western Digital и её партнёр Kioxia смогут наладить массовое производство 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит, новинка может существенно повлиять на стоимость твердотельных накопителей большой ёмкости.

Western Digital заявляет, что плотность её кристаллов QLC на 15–19 % выше, чем у конкурентов. По утверждению компании, новинка на 50 % быстрее и требует на 13 % меньше энергии на 1 Гбайт хранимой информации, чем конкуренты.

Официальный анонс 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит ожидается в ближайшее время.

Рынок памяти DDR3 переживает серьёзный дисбаланс спроса и предложения, поскольку ведущие мировые производители, такие как Samsung, SK hynix и Micron, постепенно сворачивают производство этого типа памяти. Согласно отчёту Economic Daily News, сокращение выпуска DDR3 крупнейшими игроками на фоне продолжающегося высокого спроса со стороны устройств искусственного интеллекта и периферийных вычислений привело к значительному дефициту и росту цен.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Эксперты отрасли, в свою очередь, отмечают, что сокращение производства DDR3 ведущими производителями уже привело к росту цен на этот тип памяти, начиная со второй половины этого года, причём ожидается дальнейшее повышение. По прогнозам аналитической компании TrendForce, к концу 2024 года разрыв между спросом и предложением на рынке DDR3 может превысить 20-30 %, что приведёт к скачку цен на 50-100 % относительно текущего уровня, который и так уже находится ниже себестоимости.

Однако сложившаяся ситуация открывает определённые возможности для тайваньских производителей, специализирующихся на выпуске DDR3, таких как Winbond, Elite Semiconductor Microelectronics Technology (ESMT) и Etron. Эти компании смогут воспользоваться дефицитом и ростом цен, чтобы укрепить свои позиции на рынке и улучшить финансовые показатели. Ожидается, что преимущества от повышения цен на DDR3 станут очевидными для тайваньских производителей уже в ближайшие кварталы.

Несмотря на постепенный переход отрасли к новым стандартам памяти, спрос на DDR3 остаётся высоким благодаря широкому применению в различных устройствах. Например, большинство точек доступа WiFi 6 и даже готовящиеся к выпуску устройства следующего поколения WiFi 7 по-прежнему используют преимущественно DDR3 и DDR4. Кроме того, DDR3 продолжает активно применяться в периферийных вычислительных системах.

Таким образом, сочетание сокращения предложения и стабильно высокого спроса создаёт предпосылки для дальнейшего повышения цен на DDR3 в обозримом будущем. Хотя в долгосрочной перспективе рынок неизбежно будет смещаться в сторону более современных типов памяти, текущая ситуация благоприятна для производителей DDR3 и позволяет им укрепить своё финансовое положение.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2024 свои новые продукты, созданные в рамках концепции Storage Beyond Limits («Хранение данных без границ»). Компания представила свежие твердотельные накопители, скоростные модули памяти и другие новинки.

Silicon Power выделила в экспозиции четыре основных передовых решения. В их числе модули оперативной памяти XPOWER Storm DDR5 RGB с поддержкой скорости передачи данных от 6000 до 8000 МТ/с и низкими таймингами от CL40 до CL38. Более того, производитель заявляет, что новинки поддерживают ручной разгон, так что из этих модулей получится «выжать» ещё больше.

Оперативная память XPOWER Storm DDR5 RGB отличается сравнительно низким рабочим напряжением в пределах от 1,35 до 1,45 В, что позволяет снизить энергопотребление без ущерба для игровой производительности. Благодаря поддержке профилей Intel XMP обеспечивается плавный и простой для пользователя разгон, что позволяет легко оптимизировать производительность для требовательных приложений.

При выборе дизайна для модулей XPOWER Storm DDR5 RGB специалисты Silicon Power вдохновлялись изящными формами акулы. Изогнутая линия верхней части модуля в форме спинного плавника и симметричные изображения жаберных щелей морского хищника в сочетании с RGB-подсветкой создают ощущение драйва.

Модули оперативной памяти XPOWER Storm DDR5 RGB доступны в версиях с объёмом 16 и 32 Гбайт с эффективной частотой 6000, 6400, 6800, 7200 и 7600 МГц.

Также на стенде Silicon Power был представлен ориентированный на использование со смартфонами Apple iPhone внешний портативный твердотельный накопитель MX10 с магнитным креплением MagSafe. Лёгкий и удобный внешний SSD позволяет реализовать при подключении к iPhone 15 Pro и iPhone 15 Pro Max возможность видеосъёмки в формате ProRes с разрешением 4K на скорости 60 кадров/с. Без внешнего SSD эти смартфоны предлагают съёмку 4К ProRes с частотой до 30 кадров/с.

Конечно, Silicon Power MX10 можно использовать не только с iPhone. Он совместим с мобильными устройствами под управлением Android 6 и выше, iOS 13 и выше, а также компьютерами на Windows 7, Mac OS X 10.3, Linux 2.6 и выше, и игровыми консолями.

Внешний накопитель поддерживает скорость последовательного чтения и записи до 1000 Мбайт/с, обеспечивая быстрый доступ к данным и бесперебойную передачу файлов. Устройство обладает повышенной прочностью, а также защищённостью от влаги и пыли согласно стандарту IP54, и от падений и ударов согласно MIL-STD 810H. Допускается эксплуатация накопителя при температуре от 0 до 70 °С. Таким образом новинку можно использовать даже в самых экстремальных условиях, не опасаясь за сохранность данных.

Ещё был показан более традиционный внешний SSD размером с флешку — Silicon Power PX10. Он подключается через USB Type-C и совместим со смартфонами, цифровыми камерами, компьютерами и консолями. Он обеспечивает скорость передачи данных в обоих направлениях до 1050 Мбайт/с. Максимальный объём — 4 Тбайт. Накопитель выполнен в устойчивом к падениям и ударам корпусе и весит всего 33 грамма.

Ещё одна новинка от Silicon Power — NVMe-накопитель US85 в формфакторе M.2 2280 с интерфейсом PCI Express 5.0, построенный на флеш-памяти 3D TLC NAND. У данного SSD не буфера DRAM, но за счёт этого накопитель US85 не имеет проблем с перегревом, демонстрируя при этом высокую производительность. Накопитель поддерживает скорость последовательного чтения и записи в 12 000 и 10 000 Мбайт/с соответственно.

Как сообщает производитель, конструкция SSD гарантирует, что даже при интенсивных рабочих нагрузках US85 будет обеспечивать стабильную производительность без ущерба для долговечности. Более того, благодаря компактным размерам US85 может использоваться в ноутбуках, обеспечивая высокую скорость PCIe 5.0 без ущерба для функциональности.

Экспозиция Silicon Power также включала систему охлаждения для твердотельных накопителей M.2 SSD Heatsink with Cooling Fan HS30. Он включает алюминиевый радиатор с двумя медными тепловыми трубками, а также вентилятор, который по утверждению производителя, работает практически бесшумно. HS30 обеспечивает эффективный отвод тепла, гарантируя высокопроизводительную работу даже «горячего» накопителя.

Silicon Power продемонстрировала на выставке ещё целый ряд новинок, среди которых следует отметить карту памяти StudioPro CFexpress Type B, которая благодаря высокой скорости чтения и записи обеспечивает возможность не только записывать видео в 8K с высоким битрейтом, но также быстро передавать большие файлы, включая 4K и 8K-видеоролики. StudioPro CFexpress Type B поддерживает скорость последовательного чтения до 1800 Мбат/с и скорость последовательной записи до 1650 Мбайт/с, позволяя производить серийную съёмку с захватом нескольких кадров в секунду, а также съёмку изображений с высоким разрешением. Карта StudioPro CFexpress Type B будет выпускаться в нескольких версиях объёмом до 1,6 Тбайт.

Помимо этих продуктов, демонстрирующих основную концепцию дизайна «Хранение данных без границ», Silicon Power показала на Computex 2024 множество устройств, ориентированных на геймеров, создателей контента, вычислений на базе искусственного интеллекта и других приложений.

Компания Patriot Memory представила на своём стенде на выставке Computex 2024 множество интересных и даже уникальных новинок. Здесь и одни из самых быстрых модулей оперативной памяти, и очень быстрые твердотельные накопители, и многое другое. Обо всех свежих решениях расскажем подробнее здесь.

Patriot привезла на тайваньскую выставку пару своих самых быстрых твердотельных накопителей для настольных ПК — нынешний флагман Viper PV553 M.2 2280 PCIe Gen5 x4 и его преемника в лице Viper PV573 M.2 2280 PCIe Gen5 x4, который предложит ещё более высокую скорость передачи данных. Оба выполнены в формфакторе M.2 2280 и полагаются на интерфейс PCIe 5.0 x4, как нетрудно догадаться по их названиям.

Твердотельный накопитель Viper PV553 построен на контроллере Phison PS5026-E26 и микросхемах памяти 3D TLC NAND от компании Micron. Данный SSD предлагает скорость последовательного чтения до 12 400 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 11 800 Мбайт/с. Накопитель предлагается в версиях объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

В свою очередь, твердотельный накопитель Viper PV573 M.2 2280 PCIe Gen5 x4 предложит скорость последовательного чтения до 14 000 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 12 000 Мбайт/с. Повышение скорости стало возможным благодаря применению новых чипов памяти с пропускной способностью до 2400 МТ/с.

Оба SSD роднит система охлаждения — для защиты от перегрева Patriot применила в каждом низкопрофильный радиатор высотой 16,5 мм с крошечным вентилятором, который рассчитан на 25 000 часов непрерывной работы. В результате температура SSD не превышает 45 °С, что гарантирует стабильную работу.

Ещё Patriot Memory продемонстрировала компактный твердотельный накопитель Viper VP4000 Mini, который выполнен в формате M.2 2230 и ориентирован на использование в современных портативных игровых консолях вроде Asus ROG Ally и Steam Deck. Подобных SSD на рынке пока представлено не так много, так что появление нового варианта можно лишь поприветствовать. Накопитель обладает интерфейсом PCIe 4.0 x4 и предлагает скорость последовательного чтения до 5000 Мбайт/с и последовательной записи до 3500 Мбайт/с. Доступны версии на 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

Помимо SSD компания Patriot представила множество самых разных модулей оперативной памяти. В частности, представители серии Viper Xtreme 5 DDR5 предоставят высокий разгонный потенциал и обеспечат высочайшую производительность. Производитель предлагает наборы на 32 и 48 Гбайт со скоростью 7600 и 8200 МТ/с (с профилями XMP), но это не предел, и в будущем производитель намерен предложить и более быструю память.

В свою очередь, модули Viper Xtreme 5 RGB DDR5 также предлагают высокий разгонный потенциал и высокую скорость, но вместе с тем они оснащены настраиваемой RGB-подсветкой. Здесь производитель предлагает решения со скоростью до 8000 МТ/с и объёмом набора до 48 Гбайт.

В сотрудничестве с MSI компания Patriot представила серию модулей оперативной памяти Viper Xtreme 5 RGB DDR5 MPower. С точки зрения характеристик данные планки копируют описанные абзацем выше, а отличие заключается во внешнем оформлении — они лучше впишутся в систему на компонентах MSI.

К слову, в арсенале Patriot есть и модули памяти Viper Elite 5 RGB TUF Gaming Alliance, разработанные в партнёрстве с Asus и оформленные в соответствующем стиле с белоснежными радиаторами. Эти модули обладают высотой всего 4,4 см, что позволит установить их практически под любой кулер. В этой серии предлагаются одиночные модули на 16 и 32 Гбайт, а также комплекты от 32 до 96 Гбайт. Максимальная скорость — 7000 МТ/с.

Помимо этого, Patriot Memory продемонстрировала и другие модули памяти. Серия Viper AMD TR5 OC RDIMM предназначена для систем на процессорах AMD Ryzen Threadripper 7000 и предлагает объём до 128 Гбайт. Модули Viper Venom DDR5 предлагают высокую скорость (до 7400 МТ/с) и низкопрофильные радиаторы с RGB-подсветкой и без неё. В серии Signature Line представлены модули с компактными радиаторами или вовсе без них для игровых и рабочих систем, а также в этом семействе Patriot предлагает модули SO-DIMM для ноутбуков и мини-ПК.

На текущей выставке электроники Computex 2024 многие производители ОЗУ демонстрируют новые высокоскоростные модули оперативной памяти. Компания G.Skill показала работу своих самых быстрых двухканальных модулей памяти DDR5-10600 на системе с довольно неожиданным процессором — AMD Ryzen 5 8500G.

Источник изображений: AnandTech

G.Skill почти всегда демонстрирует свои самые передовые модули оперативной памяти на платформах Intel, которые исторически славятся поддержкой более скоростной памяти. AMD в этом вопросе всегда отставала. Но с выходом архитектуры Zen 4 всё изменилось. В демонстрационной системе G.Skill на базе AMD компания показывает работу двухканального комплекта Trident Z5 RGB DDR5-10600 общим объёмом 32 Гбайт, с таймингами CL56-62-62-126 и рабочим напряжением, гораздо выше, обозначенного для стандарта DDR5. В демонстрируемой системе также используется материнская плата Asus ROG Crosshair X670E Gene.

Никто в здравом уме не станет использовать безусловно сверхдорогую ОЗУ в связке с весьма недорогим APU. Но тем любопытнее наблюдать, насколько меняется ситуация в противостоянии между платформами Intel и AMD. К слову, на выставке Computex 2024 память G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-10600 не самая быстрая — компания Patriot показала модули DDR5 со скоростью 8000 МТ/с, поддерживающие разгон до 11 500 МТ/с.

Что касается памяти DDR5-10600, то компания G.Skill пока не говорит о том, когда она поступит в продажу. В текущем ассортименте производителя самыми быстрыми модулями памяти являются DDR5-8400. Поэтому компании, вероятно, потребуется ещё некоторое время для тестов новых скоростных комплектов памяти с различными процессорами, чтобы убедиться в их стабильности.

Данные берутся из публикации Почему 48 Гбайт памяти — это не страшно: обзор Patriot Viper Elite 5 RGB TUF Gaming Alliance DDR5-6600 2×24 Гбайт

Компания TeamGroup представила серию модулей оперативной памяти T-Create Expert AI в новом формфакторе LPDDR5X CAMM2. В серию вошли модели со скоростью передачи данных 7200 и 6400 МТ/с. Новинки работают с низкими таймингами — CL28 и CL24 соответственно.

Источник изображений: TeamGroup

Модули памяти T-Create Expert AI LPDDR5X CAMM2 будут предлагаться в версиях объёмом 32 и 64 Гбайт. Компания TeamGroup формально стала лишь третьим после Crucial (принадлежит Micron) и Kingston производителем ОЗУ, представившим модули оперативной памяти в новом формфакторе.

Модули памяти T-Create Expert AI LPDDR5X-7500 CAMM2 и LPDDR5X-6400 CAMM2 обеспечивают пропускную способность в 60 и 51,2 Гбайт/с соответственно. Новинки оснащены тонкими графеновыми пластинами, служащими в качестве радиаторов.

О стоимости своих модулей памяти T-Create Expert AI LPDDR5X CAMM2 производитель ничего не сообщил. Однако ранее выпущенные модули ОЗУ того же формата от Crucial на 32 и 64 Гбайт оцениваются в $179,99 и $329,99 соответственно. Очевидно, что стоимость сейчас в большей степени формируется новизной стандарта. В перспективе модули ОЗУ нового формата должны стать дешевле, их объём — больше, а тайминги — ещё ниже.

Формат CAMM2 рассматривается некоторыми в индустрии в качестве эволюционного звена в развитии оперативной памяти. Новый формфактор занимает меньше места в составе ноутбука, чем ОЗУ привычных форматов SO-DIMM. Кроме того, новый формат поддерживает более быструю память и обладает повышенной энергоэффективностью. Ранее Lenovo стала первой компанией, выпустившей ноутбук с поддержкой модулей памяти CAMM2. Не удивимся, если на выставке Computex 2024 другие производители ноутбуков представят аналогичные решения.

Выручка отрасли производства флеш-памяти NAND в первом квартале текущего года достигла более $14,7 млрд — это самый высокий квартальный показатель за последние годы. При этом Micron обогнала одного из лидеров рынка в лице Western Digital благодаря наращиванию поставок SSD для ИИ-серверов. Флэш-память остаётся одним из самых быстрорастущих сегментов рынка полупроводников.

Источник изображения: Wikipedia

Согласно отчету аналитической компании TrendForce, в первом квартале 2024 года наблюдался значительный рост на рынке флэш-памяти NAND. Выручка отрасли увеличилась на 28,1 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $14,71 млрд.

Основными драйверами роста стал высокий спрос на твердотельные накопители (SSD) для корпоративных серверов, нацеленных на задачи искусственного интеллекта. Также запасы флэш-памяти наращивали производители ПК и смартфонов, а также операторы дата-центров. Последние постоянно стремятся компенсировать ожидаемый дальнейший рост цен.

Источник изображений: TrendForce

Лидером рынка остается Samsung с долей 37 %, выручка компании от продаж NAND выросла на 28,6 % до $5,4 млрд. На втором месте оказалась SK Group (SK Hynix + Solidigm) с долей 22 % и ростом выручки на 31,9 % до $3,27 млрд. Третье и четвертое место занимают Kioxia и Micron с долями 12 % и 13 % соответственно.

Micron смогла обогнать Western Digital благодаря более низким ценам и активному наращиванию поставок SSD для дата-центров. Выручка Micron выросла на 51,2 %, что является самым высоким показателем среди лидеров отрасли.

Эксперты TrendForce прогнозируют сохранение положительной динамики и во втором квартале — ожидается рост выручки отрасли почти на 10 %. Отмечается, что этому будут способствовать дальнейшее увеличение контрактных цен на флэш-память (+15 %) и расширение использования SSD корпоративным сегментом.

Поскольку китайская полупроводниковая промышленность в своём развитии на определённых этапах была вынуждена полагаться на зарубежные разработки и опыт иностранных сотрудников, скандалы с промышленным шпионажем то и дело всплывают в новостной сфере. Южнокорейский суд теперь обвиняет бывшую сотрудницу SK hynix в передаче коммерческих секретов представителям китайской Huawei.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщает Business Korea, перед Окружным судом Сувона предстала уроженка КНР, которая с 2013 года работала в SK hynix с документацией, имеющей отношение к разработке полупроводниковых компонентов, и после перевода в китайское подразделение этой южнокорейской компании отвечала за консультирование корпоративных клиентов. Следствие установило, что перед своим увольнением в июне 2022 года обвиняемая распечатала более 3000 страниц документации SK hynix, имеющей отношение к разработке полупроводниковых компонентов, и передала их представителям Huawei.

Обвиняемую арестовали в Южной Корее в прошлом месяце, к настоящему времени ей уже предъявлены обвинения в части нарушения должностных обязанностей и раскрытия коммерческой тайны в промышленной сфере. Представители SK hynix пока только подтверждают, что утечка информации о методах производства микросхем памяти действительно имела место, но подробностями делиться не спешат, выражая готовность всячески содействовать следствию.

Компания G.Skill представила флагманскую серию оперативной памяти Trident Z5 Royal DDR5. Эти модули ОЗУ выделяются классическим премиальным дизайном, сочетающим радиаторы с зеркальным покрытием серебряного и золотого цветов, а также премиальной ARGB-подсветкой, оформленной в виде кристаллов.

Источник изображений: G.Skill

Производитель делает акцент на то, что каждый радиатор модуля памяти Trident Z5 Royal DDR5 вырезается из алюминия с помощью станка ЧПУ и проходит гальваническую обработку для придания знаменитого блеска, соответствующего высокому имени серии G.Skill Royal.

Память Trident Z5 Royal DDR5 разработана для разгона и будет выпускаться в виде двухканальных комплектов DDR5-8400 с таймингами CL40 общим объёмом 48 или 96 Гбайт. Соответственно наборы будут включать по два модуля на 24 и 48 Гбайт. Для новинок заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0.

Управление ARGB-подсветкой модулей памяти Trident Z5 Royal можно осуществлять через фирменную утилиту G.Skill Trident Z Lighting Control или через популярное стороннее программное обеспечение для управления подсветкой материнской платы.

В продаже комплекты памяти G.Skill Trident Z5 Royal DDR5 появятся до конца текущего месяца. Стоимость ОЗУ не сообщается, но учитывая культовый статус серии, память будет недешёвой.

Для людей, не желающих видеть внутри системного блока ПК множество висящих проводов, компания MSI выпускает специальную серию материнских плат Project Zero с разъёмами на тыльной стороне, что позволяет скрыть большинство кабелей питания. Судя по всему, на этом развитие серии не остановится. MSI рассматривает возможность оснащения материнских плат Project Zero модулями памяти нового формата CAMM2, изначально разработанными для ноутбуков.

Источник изображений: MSI

Берущие начало из проприетарной разработки компании Dell модули оперативной памяти CAMM2 и LPCAMM2 были изначально созданы для использования в составе тонких и лёгких ноутбуков. Их основными преимуществами над стандартными модулями SO-DIMM и U-DIMM являются компактность, а также более высокая плотность и скорость памяти. При этом CAMM2 и LPCAMM2 сохраняют модульность, то есть возможность обновления. На рынке уже появились первые ноутбуки, которые оснащаются модулями памяти LPCAMM2, в которых используется энергоэффективная памяти LPDDR5X.

MSI рассматривает возможность использования модулей CAMM2 с настольными материнскими платами, а в перспективе также и энергоэффективных модулей LPCAMM2. Для реализации идеи она обратилась с предложением о сотрудничестве к Kingston Technology. Последняя ведёт разработку новой серии модулей ОЗУ Fury Impact CAMM2. Подробностей пока нет, но рассматривается возможность выпуска модулей памяти почти всех объёмов (32, 48, 64 и 96 Гбайт) с поддержкой большинства популярных стандартов памяти DDR5 — от DDR5-6000 до DDR5-8000.

Компания TSMC на конференции European Technology Symposium 2024 поделилась свежими деталями о ходе разработки чипов-оснований для высокопроизводительной памяти HBM4. Одной из ключевых особенностей новой технологии памяти станет переход с 1024-битного на 2048-битный интерфейс. Однако реализация этого потребует применения более передовых технологий упаковки, по сравнению с теми, что используются сейчас для производства и интеграции памяти HBM.

Источник изображения: TSMC

В рамках своей презентации TSMC поделилась свежими деталями о чипах, которые лягут в основание стеков памяти HBM4. Компания собирается использовать для выпуска базовых чипов сразу два своих техпроцесса — N12FFC+ (12 нм) и N5 (5 нм). Каждый обладает своими достоинствами, но оба будут служить одной цели — интеграции высокоскоростной памяти HBM четвёртого поколения в состав будущих ИИ- и HPC-процессоров.

«Мы сотрудничаем с ключевыми партнёрами в разработке HBM-памяти (Micron, Samsung, SK Hynix) над передовыми узлами для полной интеграции стека HBM4. Базовый кристалл на основе экономичного техпроцесса N12FFC+ обеспечит прирост производительности HBM4, а базовый кристалл на основе N5 позволит размещать больше логических компонентов на чипе и снизить энергопотребление памяти», — отмечает компания.

Базовый кристалл памяти HBM4, изготовленный по технологии TSMC N12FFC+ (12-нм FinFet Compact Plus), будет использоваться для установки стеков памяти HBM4 на кремниевый переходник рядом с SoC. В TSMC отмечают, что N12FFC+ позволяет создавать стеки памяти в конфигурациях 12-Hi (двенадцать ярусов, 48 Гбайт) и 16-Hi (шестнадцать ярусов, 64 Гбайт) с пропускной способностью каждого стека более 2 Тбайт/с.

Базовые кристаллы HBM4 на техпроцессе N12FFC+ будут применяться для производства «систем в корпусе» (system-in-package, SiP) с использованием передовых технологий упаковки TSMC CoWoS-L или CoWoS-R. По данным TSMC, в настоящее время HBM4 может достигать скорости передачи данных до 6 ГТ/с при токе 14 мА.

«Мы также оптимизируем свои технологии упаковки CoWoS-L и CoWoS-R для HBM4. Они подразумевают использование более восьми уровней интерконнекта, чтобы обеспечить маршрутизацию более чем 2000 соединений в составе HBM4 с должной целостностью сигнала», — сообщила TSMC

Компания TSMC сотрудничает с EDA-партнёрами Cadence, Synopsys и Ansys над вопросами обеспечения целостности передачи сигналов, тепловой точности и снижения электромагнитных помех (EMI) в новых базовых кристаллах HBM4.

В качестве более продвинутой альтернативы TSMC сможет предложить для своих клиентов техпроцесс N5 для производства оснований для стеков памяти HBM4. Этот узел позволит размещать в составе стека HBM4 ещё больше логических компонентов, снизить энергопотребление памяти и ещё сильнее повысить её производительность. Но, возможно, самым важным преимуществом N5 является то, что он позволяет добиться очень малого шага межсоединений в составе HBM4, порядка 6–9 микрон. В свою очередь это позволит интегрировать кристаллы памяти HBM4 прямо поверх логических микросхем. Это должно увеличить производительность и пропускную способность памяти, что окажется полезным при производстве ИИ-чипов.